-
1 DRAM extended-data-out DRAM
Network technologies: EDOУниверсальный русско-английский словарь > DRAM extended-data-out DRAM
-
2 Burst Extended Data Out DRAM
Универсальный русско-английский словарь > Burst Extended Data Out DRAM
-
3 Extended Data Out
-
4 Extended Data Out Dynamic Random Access Memory
Универсальный русско-английский словарь > Extended Data Out Dynamic Random Access Memory
-
5 extended data out dynamic RAM
Engineering: EDO DRAMУниверсальный русско-английский словарь > extended data out dynamic RAM
-
6 динамическое ОЗУ С расширенными возможностями вывода
Information technology: extended-data-out DRAMУниверсальный русско-английский словарь > динамическое ОЗУ С расширенными возможностями вывода
-
7 динамическое ОЗУ с расширенными возможностями вывода
Information technology: extended-data-out DRAMУниверсальный русско-английский словарь > динамическое ОЗУ с расширенными возможностями вывода
-
8 ускоренный вывод данных (с фиксацией в выходном регистре)
ускоренный вывод данных (с фиксацией в выходном регистре)
Метод ускоренного обращения к памяти (RAM, DRAM), реализуемый без изменения быстродействия запоминающих элементов. Достигается за счет введения выходного регистра защелки (см. latch) и конвейерной обработки данных, что повышает производительность памяти при чтении, так как позволяет начать новый цикл обращения к ней до завершения предыдущего.
[Л.М. Невдяев. Телекоммуникационные технологии. Англо-русский толковый словарь-справочник. Под редакцией Ю.М. Горностаева. Москва, 2002]Тематики
- электросвязь, основные понятия
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > ускоренный вывод данных (с фиксацией в выходном регистре)
-
9 ускоренный ввод/вывод с пакетным циклом обращений
ускоренный ввод/вывод с пакетным циклом обращений
Метод ускоренного обращения к динамической памяти (DRAM), реализуемый за счет конвейерной архитектуры модулей памяти. Суть метода в том, что все параметры доступа определяются в первом цикле обращения, более длительном, чем при применении EDO. Все последующие пакетные циклы значительно короче, что в итоге обеспечивает более высокую производительность.
[Л.М. Невдяев. Телекоммуникационные технологии. Англо-русский толковый словарь-справочник. Под редакцией Ю.М. Горностаева. Москва, 2002]Тематики
- электросвязь, основные понятия
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > ускоренный ввод/вывод с пакетным циклом обращений
-
10 динамическая память с увеличенным временем доступности данных
1) Engineering: extended data out dynamic RAM (EDO DRAM)2) Information technology: EDO DRAMУниверсальный русско-английский словарь > динамическая память с увеличенным временем доступности данных
См. также в других словарях:
DRAM — типы DRAM памяти FPM RAM EDO RAM Burst EDO RAM SDRAM DDR SDRAM DDR2 SDRAM DDR3 SDRAM DDR4 SDRAM Rambus RAM QDR SDRAM VRAM WRAM SGRAM GDDR2 GDDR3 GDDR4 GDDR5 … Википедия
BEDO-DRAM — abbr. Burst Extended Data Out DRAM (RAM, DRAM, IC) Syn: BEDODRAM … United dictionary of abbreviations and acronyms
EDO-DRAM — Extended Data Out Dynamic Random Access Memory … Acronyms
EDO-DRAM — Extended Data Out Dynamic Random Access Memory … Acronyms von A bis Z
Data General Nova — System Data General Nova 1200 front panel … Wikipedia
EDO-DRAM — abbr. Extended Data Out Dynamic Random Access Memory (RAM) Syn: EDODRAM … United dictionary of abbreviations and acronyms
Dynamic random-access memory — DRAM redirects here. For other uses, see Dram (disambiguation). Computer memory types Volatile RAM DRAM (e.g., DDR SDRAM) SRAM In development T RAM Z RAM TTRAM Historical Delay line memory Selectron tube Williams tube … Wikipedia
NROM — Halbleiterspeicher ist ein Datenspeicher, der aus einem Halbleiter besteht, in dem mittels der Halbleitertechnologie integrierte Schaltkreise realisiert werden. Die Daten werden in Form von binären elektronischen Schaltzuständen in den… … Deutsch Wikipedia
Random-Access-Memory — Halbleiterspeicher ist ein Datenspeicher, der aus einem Halbleiter besteht, in dem mittels der Halbleitertechnologie integrierte Schaltkreise realisiert werden. Die Daten werden in Form von binären elektronischen Schaltzuständen in den… … Deutsch Wikipedia
Random Access memory — Halbleiterspeicher ist ein Datenspeicher, der aus einem Halbleiter besteht, in dem mittels der Halbleitertechnologie integrierte Schaltkreise realisiert werden. Die Daten werden in Form von binären elektronischen Schaltzuständen in den… … Deutsch Wikipedia
Random access Memory — Halbleiterspeicher ist ein Datenspeicher, der aus einem Halbleiter besteht, in dem mittels der Halbleitertechnologie integrierte Schaltkreise realisiert werden. Die Daten werden in Form von binären elektronischen Schaltzuständen in den… … Deutsch Wikipedia